化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD） 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并生成固態(tài)薄膜沉積下來(lái)

1200℃雙溫區(qū)三路氣體高真空CVD氣相沉積系統(tǒng)，真空度可達(dá)6.67x10-6Pa），兩個(gè)溫區(qū)獨(dú)立控制加熱，實(shí)驗(yàn)操作更加方便。超高溫加熱元件，額定工作溫度可達(dá)1150℃。      主要用于真空燒結(jié)、氣氛保護(hù)性燒結(jié)、真空鍍膜、各種材料鍛燒、需要溫度梯度的各種CVD實(shí)驗(yàn)。      該產(chǎn)品造型優(yōu)美、做工精細(xì)，測(cè)溫精準(zhǔn)、控溫穩(wěn)定。

1200雙溫區(qū)三路氣路高真空CVD氣相沉積系統(tǒng)（管式爐爐管尺寸：φ60*220*220mm，0~1150℃工作溫度區(qū)間；真空泵：5~10-6Pa真空度，質(zhì)子氣體流量計(jì)精確至0.1）

“高真空"環(huán)境帶來(lái)了以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：

減少氣體分子碰撞： 真空度ji高意味著氣體分子平均自由程（分子之間連續(xù)碰撞的平均距離）非常長(zhǎng)。這使得反應(yīng)氣體分子能夠以直線方式到達(dá)基片表面，從而確保薄膜具有ji佳的均勻性和臺(tái)階覆蓋性（即使是在復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)上也能均勻覆蓋）。降低污染： ji高的真空極大地減少了殘留的氧氣、水蒸氣等雜質(zhì)氣體分子，避免了它們與反應(yīng)氣體或沉積薄膜發(fā)生不必要的副反應(yīng)，從而制備出純度ji高、缺陷極少的高質(zhì)量薄膜。精確控制反應(yīng)： 在高真空環(huán)境下，反應(yīng)物的分壓可以得到更精確的控制，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜生長(zhǎng)速率、化學(xué)成分和晶體結(jié)構(gòu)的精細(xì)調(diào)控。

PECVD應(yīng)用領(lǐng)域：

1.微電子與半導(dǎo)體工業(yè)，介質(zhì)薄膜　低k介質(zhì)　多晶硅/非晶硅薄膜

2.光伏（太陽(yáng)能電池）工業(yè)，氮化硅減反射鈍化膜　非晶硅/微晶硅薄膜太陽(yáng)能電池

3.顯示技術(shù)（LCD/OLED），薄膜晶體管（TFT）陣列制造

4.光學(xué)領(lǐng)域，光學(xué)薄膜

PECVD優(yōu)點(diǎn):
1.沉積溫度低

2. 薄膜質(zhì)量高

3. 良好的臺(tái)階覆蓋性和溝槽填充能力

4. 沉積速率較快

5. 廣泛的材料體系

此款燒結(jié)CVD系統(tǒng)的電源電壓：220V，50Hz，主要用途：CVD實(shí)驗(yàn)，真空燒結(jié)、真空氣氛保護(hù)燒結(jié)、納米材料制備、電池材料制備等。