鹵素燈RTP立式快速退火爐是一款8寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制**，溫度重復性高，客戶包括國際上許多半導體公司及科研團隊，是半導體制程退火工藝的理想選擇。

RTP退火爐應用領域：

1、活化離子注入雜質，形成超薄結合。離子注入是半導體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導電率的攙雜材料注入半導體晶片的標準工藝技術。

2、制作高質量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術即通過降低氧化反應的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題，生長溫度的降低會導致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達到降低氧化速率的目的。

3、用于金屬硅化物合金形成。RTP退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。

RTP退火爐產品特點：

1. 結構緊湊，節(jié)省空間；

2. 快速升降溫；

3. 精準溫控與均勻性；

4.氣氛控制靈活；

鹵素燈RTP立式快速退火爐技術參數(shù)：